Kingston Technology 48GB, DDR5, 5600MT/s, ECC, Unbuffered, DIMM, CL46, 2RX8, 1.1V, 288-pin, 24Gbit Hynix M Mémoire RAM (KSM56E46BD8KM-48HM)

  • 48GB 5600MT/s DDR5 ECC CL46 DIMM 2Rx8 Hy
  • composant pour: PC/serveur ▪ Mémoire interne: 48 Go ▪ Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 48 Go ▪ Type de mémoire interne: DDR5 ▪ Support de mémoire: 288-pin DIMM ▪ Latence CAS: 46

  • Classement: Mémoires PC Kingston Technology 48GB, DDR5, 5600MT/s, ECC, Unbuffered, DIMM, CL46, 2RX8, 1.1V, 288-pin, 24Gbit Hynix M Mémoire RAM (KSM56E46BD8KM-48HM)
Fabricant: Kingston
Code produit du fabricant: KSM56E46BD8KM-48HM

Kingston Technology KSM56E46BD8KM-48HM, 48 Go, 1 x 48 Go, DDR5, 288-pin DIMM

€2382,11 TTC
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Kingston Technology KSM56E46BD8KM-48HM, 48 Go, 1 x 48 Go, DDR5, 288-pin DIMM

Spécifications des produits
Nom d'attribut Valeur d'attribut
Livraison
Livraison expédiée en 5 à 8 jours
Caractéristiques
Type de mémoire mise en cache Unregistered (unbuffered)
On-Die ECC Oui
Latence CAS 46
Mémoire interne 48 Go
Disposition de la mémoire (modules x dimensions) 1 x 48 Go
Mémoire interne - Type DDR5
Débit de transfert des données de mémoire 5600 MT/s
Fréquence de la mémoire 2800 MHz
composant pour PC/serveur
Support de mémoire 288-pin DIMM
ECC Non
Niveau de mémoire 2
Mémoire de tension 1.1 V
Temps du cycle de la ligne (TRC) 48 ns
Refresh row cycle time (TRFC) 295 ns
Rayon de temps actif 32 ns
Durée de précharge de rang (TRP) 16
Profil SPD Oui
Tension de programmation (VPP) 1,8 V
Placage en plomb Or
Norme JEDEC Oui
Conditions environnementales
Température d'opération 0 - 95 °C
Température hors fonctionnement -55 - 100 °C
Détails techniques
Certificats de conformité RoHS
Durabilité
Ne contient pas Halogène
Poids et dimensions
Largeur 133,3 mm
Hauteur 31,2 mm
  • Un produit ne peut être commenté qu'après avoir été acheté
  • Seuls les utilisateurs enregistrés peuvent saisir des avis
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Mauvais
Excellent
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Type de mémoire mise en cache Unregistered (unbuffered)
On-Die ECC Oui
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Mémoire interne 48 Go
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Mémoire interne - Type DDR5
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Fréquence de la mémoire 2800 MHz
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ECC Non
Niveau de mémoire 2
Mémoire de tension 1.1 V
Temps du cycle de la ligne (TRC) 48 ns
Refresh row cycle time (TRFC) 295 ns
Rayon de temps actif 32 ns
Durée de précharge de rang (TRP) 16
Profil SPD Oui
Tension de programmation (VPP) 1,8 V
Placage en plomb Or
Norme JEDEC Oui
Conditions environnementales
Température d'opération 0 - 95 °C
Température hors fonctionnement -55 - 100 °C
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